Heterojunction photodiode fabricated from TiO2 nanorods deposited on p-Si

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Ankara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2022

Tezin Dili: İngilizce

Öğrenci: BETÜL ŞEKERTEKİN

Danışman: Abdullah Yildiz

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Metal oksit malzemelerin heterojunction mühendisliği, yeni optoelektronik cihazlar üretmek için heyecan verici bir fırsat sağlar. Titanyum dioksit (TiO2), ışık deteksiyonu için umut verici bir aday malzemedir. Bu tezin amacı, n-TiO2/p-Si yapısına dayalı olarak titanyum dioksit (TiO2) emiter katman olarak kullanılarak bir p-n heteroeklemli fotodiyot hazırlamaktır. Bu tez çalışmasında, ışık altında üretilen elektronların bir bariyer üzerinden p-Si'den n-TiO2'ye hareket ettiği bir n-TiO2/p-Si p-n heteroeklemli fotodiyot oluşturmak için hidrotermal yöntemle p-Si alttaşlar üzerine n-TiO2 nanoçubukları biriktirildi. Üretilen cihazın kristal yapısı, bant aralığı enerjisi ve bazı önemli elektriksel parametreleri, X-ışını kırınımı, taramalı elektron mikroskobu, UV-Vis spektroskopisi ve akım-voltaj ölçümleri yoluyla belirlendi. Sonuçlar, cihazın ultraviyole ışığa (365 nm) duyarlı olduğunu gösterdi. Üretilen fotodiyot, 1.41A/W maksimum foto-duyarlılığı, 80 foto-duyarlılığı, 8.32x1011 Jones ve 365 nm ultraviyole ışığında 25 ms foto-tepki süresi ile mükemmel foto-duyarlılık gösterdi.