Yerel Transistörlere Dayalı Düşük Faz Gürültülü Gerilim Kontrollü Lc Osilatör Tasarımı

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Ankara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2020

Tezin Dili: İngilizce

Öğrenci: Mahir ŞANLI

Danışman: FATİH VEHBİ ÇELEBİ

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

En çok tercih edilen LC Gerilim Kontrollü Osilatör topolojilerinden biri tamamlayıcı LC VCO' dur. Bu topoloji, alçak gerilime sahip boşluk payından dolayı akım kontrollü osilatörlerde, osilatör çekirdeğine yeterli akımı sağlamakta zorluk çekmektedir. Bu sorunun üstesinden gelmek için tamamıyla tümleşik bir 7.5 GHz osilatör, besleme devresinde yerel transistörler kullanılarak, TSMC 65 nm teknolojisi ile tasarlanıp, benzetim sonuçları alınmıştır. Ölçülen faz gürültüsü, merkez frekansta 1 Mhz ofseti için -121 dBc / Hz' dir. Osilatör %5.58 ayar aralığına sahiptir. 1.2 V güç kaynağından 1.8 mA akım çekmektedir. Besleme devresinde normal transistorlar kullanılarak yapılan eşleniği VCO 'a göre 2.4 dB daha iyi faz gürültü performansı sağladığı gözlenmiştir.