Integration of sol-gel derived doped zinc oxide films and solution-processed metal nanoparticles for thin film photodiode and solar cell applications
Tezin Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Ankara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, ELEKTRİK VE BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ ANABİLİM DALI, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2019
Tezin Dili: İngilizce
Öğrenci: MOHAMED NOURI SBETA
Danışman: Abdullah Yıldız
Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu
Özet:Tez çalışmasında, sol-gel türevli ZnO, Al-katkılı ZnO (AZO) ve Ga-katkılı ZnO (GZO) ince filmlerin GZO filmleri üzerinde durulması, biriktirilmesi ve optimizasyonu amaçlanmıştır. Filmler, spin kaplama tekniği kullanılarak cam substratlar üzerinde başarıyla biriktirildi ve optik ve elektriksel özellikleri, optoelektronik cihaz uygulamaları için uygun olacak şekilde optimize edildi. GZO filmlerinin p-Si substratına biriktirilmesiyle, p-n (GZO/p-Si) heterojeksiyonları başarıyla oluşturuldu ve GZO/p-Si bazlı optoelektronik cihazlar imal edildi ve optimize edildi. GZO/p-Si cihazlarının metal nanoparçacıklar (NP'ler) vasıtasıyla optik tepkisinde gelişme potansiyeli, GZO tabakası üzerinde işlenen 100 nm boyunda Ag ve Au NP'lerin döndürülerek kaplanmasıyla incelenmiştir. Depolanan ZnO ince filmlerin yapısal, yüzey morfolojik, optik ve elektriksel özellikleri x-ışını difraktometresi (XRD) ve taramalı elektron mikroskobu (SEM), atomik kuvvet mikroskobu (AFM), UV-vis spektroskopisi ve dördü kullanılarak incelenmiştir. puanlı prob ve Hall efekt ölçüm sistemleri. Elektriksel iletkenliğin emme katsayısına oranı, filmlerin kalitesini değerlendirmek için bir değer (FOM) olarak kullanılmıştır. Depolanan AZO ve GZO ince filmleri için ~ 1.6x10-5 -1 FOM değeri ölçüldü.GZO/p-Si cihazlarının performansı karanlıkta ve AM1.5 ve UV aydınlatma koşullarında ölçülen akım-gerilim (I-V) özelliklerinden analiz edildi. Literatür ile karşılaştırıldığında, mükemmel düzeltme davranışı, yüksek fotoreopozivite ve rekabetçi fotovoltiac özelliği cihazlar tarafından sergilendi. Au ve Ag metal NP'lerinin cihazlara dahil edilmesi, optik absorpsiyonun artmasına neden oldu ve sonuç olarak cihazların fotoelektrik özellikler bakımından performansını arttırdı.