Fabrication and characterization of ZnO: Ga/p-Si heterostructure photodiodes

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Ankara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2019

Tezin Dili: İngilizce

Öğrenci: NUR EFŞAN KÖKSAL

Danışman: Abdullah Yıldız

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

GZO tabakasının farklı kalınlıklarına sahip olan Ga-katkılı (GZO)/Si fotodiyotlar sol-gel yöntemi kullanılarak üretildi. İnce film özellikleri, XRD, AFM ve UV-VIS spekrometre ölçümleri yardımıyla belirlendi. GZO filmlerin ortalama tanecik büyüklüğü, doku katsayısı, RMS değeri ve transparanlığı hesaplandı. Cihazların akım-gerilim karakteristikleri, fotoelektriksel özelliklerini incelemek için AM1.5 ışığı altıında ve karanlıkta ölçüldü. Doyma akımı, idealite faktörü, bariyer yüksekliği gibi bazı önemli parametreler elde edildi. Doğrultma oranı, ışığaduyarlılık ve duyarlılık değerleri daha ince GZO tabakasının varlığıyla geliştirildi. Sonuçlar, daha ince GZO tabakasına sahip cihazın fotodiyot açısından en iyi performansı gösterdiğini belirtti. Literatürde bildirilenlere kıyasla en iyi cihaz performansına AM1.5 aydınlatmasında ulaştık.