A Comparative Study of AlGaN and InGaN Back-Barriers in Ultrathin-Barrier AlN/GaN Heterostructures
Journal of Electronic Materials, cilt.46, sa.8, ss.5278-5286, 2017 (SCI-Expanded, Scopus)
- Yayın Türü: Makale / Tam Makale
- Cilt numarası: 46 Sayı: 8
- Basım Tarihi: 2017
- Doi Numarası: 10.1007/s11664-017-5540-7
- Dergi Adı: Journal of Electronic Materials
- Derginin Tarandığı İndeksler: Science Citation Index Expanded (SCI-EXPANDED), Scopus
- Sayfa Sayıları: ss.5278-5286
- Ankara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi Adresli: Hayır